一、产品整体概述
EG1165 / EG1165S 为高压半桥 PWM 控制器，SOP‑16 封装，集成 600V 半桥栅极驱动，外置半桥功率 MOS ；VCC 供电 10‑20V；HO/LO 图腾柱驱动拉 1.5A、灌 2A；外接 CP 电容设置振荡频率20Hz‑500kHz ；内置 5V 基准、误差放大器、软启动、逐周期限流、前沿消隐；最大占空比 47.5%；EG1165 与 EG1165S 差异主要是UVLO 欠压阈值不同：EG1165 开启 16V / 关断 8V，需要高压启动电阻；EG1165S 开启 8.5V / 关断 7.5V，适合外部辅助电源供电；适用于隔离半桥充电器、电动车转换器、UPS、工业电源、大功率 LED 驱动。
版本区分
- EG1165：VCC UVLO 开启 16V，适合电阻高压自启动；
- EG1165S ：VCC UVLO 开启 8.5V，不能高压电阻自启动，必须外部辅助绕组供电。
二、五大核心差异化硬件优势
‑ 集成 600V 半桥驱动，内部 PWM 控制器一体 无需额外半桥驱动芯片，片内集成电平位移、自举驱动电路，母线最高耐压 600V；HO/LO 输出驱动能力 2A，直接驱动外部 N‑MOS 组成半桥拓扑。
‑ 单电容设置频率，宽频 20Hz‑500kHz CP 引脚外接电容设置工作频率，公式：\(\boldsymbol{f(KHz)=(11.8\times10^6)/C_{p}(pF)}\)；内部振荡器，最大占空比限制 47.5%，内置最小死区典型 500ns。
‑ 完备闭环与保护体系
- FB 引脚 1.2V 内部基准，误差放大器实现电压闭环稳压；REF5V 输出 5V 基准，可供给外部周边电路；
- SS 引脚外接电容实现软启动，抑制上电冲击；
- SDHIN 高端、SDLIN 低端两路独立逐周期限流，比较阈值 180mV，带 500ns 前沿消隐；\(I_{PK}=180mV/R_s\)；
- EN 使能引脚（阈值 1.2V）、SD 硬件关断引脚（高电平关闭 PWM）；
- 短路打嗝保护：输出短路 VCC 电容放电，UVLO 关断，之后重新启动间歇打嗝。
‑ 两种 UVLO 版本适配不同供电方案 EG1165 支持高压电阻启动；EG1165S 适合辅助绕组供电，降低启动电路损耗。
‑ SOP‑16 集成方案，外围器件精简 PWM 控制 + 半桥驱动二合一；可配合副边充电芯片（EG4328 等）组成大功率电池充电器。
三、内置功能与重要限制
✅内置功能
- 600V 半桥栅极驱动，HO/LO 输出 2A 驱动能力；
- 振荡器：CP 单电容设置频率，20Hz‑500kHz，最大占空比 47.5%，最小死区 500ns；
- 5V 基准 REF5V 输出；FB=1.2V 电压误差放大器；
- SS 外接电容软启动；
- EN 使能、SD 硬件关断；
- SDHIN / SDLIN 高低端独立逐周期限流，500ns LEB 前沿消隐；
- VCC UVLO 欠压锁定；输出短路打嗝间歇重启。
⚠️重要限制
- 控制器 + 驱动一体，功率 MOS 必须外置；VB 自举回路仍然需要外接自举二极管与自举电容；
- EG1165S不支持高压电阻自启动，必须外部辅助电源供电；
- 无 VB 悬浮欠压保护，仅 VCC 欠压；
- 无芯片内置过温检测，过温保护需要外部电路通过 EN/SD 实现；
- 无 nFAULT 故障输出，故障通过打嗝重启体现。
四、引脚功能定义（SOP‑16）
表格
| 引脚号 | 引脚名 | I/O | 功能简述 |
|---|---|---|---|
| 1 | REF5V | O | 5V 基准输出，最大 10mA，就近接旁路电容 |
| 2 | EN | I | 芯片使能，低于 1.2V 待机关闭芯片 |
| 3 | SD | I | 硬件关断，高电平强制关闭 PWM 输出 |
| 4 | SS | I | 软启动引脚，外接软启动电容 |
| 5 | VSS | GND | 信号模拟地 |
| 6 | CP | I | 振荡频率设置电容引脚 |
| 7 | ERRO | O | 误差放大器输出，做环路补偿 |
| 8 | FB | I | 反馈输入，内部基准 1.2V |
| 9 | SDLIN | I | 低端 MOS 电流采样输入，阈值 180mV |
| 10 | LO | O | 低端 MOS 栅极驱动输出 |
| 11 | COM | GND | 功率地 |
| 12 | VCC | Power | 芯片供电 10‑20V，需 22μF 储能电容 |
| 13 | SDHIN | I | 高端 MOS 电流采样输入，相对 VS，阈值 180mV |
| 14 | VS | O | 半桥中点悬浮参考点 |
| 15 | VB | Power | 高端自举悬浮电源，接外部自举二极管、电容 |
| 16 | HO | O | 高端 MOS 栅极驱动输出 |
五、外围元器件标准化选型规范
- VCC 供电：VCC 对地必须放置 22μF 储能电容 + 0.1μF 陶瓷；EG1165 使用高压启动电阻，EG1165S 必须辅助绕组供电。
- REF5V：对地 1μF 旁路电容，靠近引脚。
- CP 振荡电容：按频率公式取值。
- SS 软启动：外接电容设置软启动时长。
- 自举回路：VB‑VS 接自举电容，VB 接耐压≥600V 快恢复自举二极管到 VCC。
- 电流采样电阻：高端 SDHIN、低端 SDLIN 分别接采样电阻，\(I_{PK}=180mV/R_s\)。
- 栅极电阻 Rg：HO、LO 串联栅极电阻靠近 MOS 栅极，抑制振铃。
- 反馈环路：FB 分压网络，ERRO 引脚做相位补偿。
六、PCB 布线硬性规范
- VCC 储能电容、REF5V 旁路电容紧贴对应引脚。
- 自举二极管、自举电容紧靠 VB、VS，缩短悬浮驱动环路，降低寄生。
- HO、LO 栅极走线尽量短，栅极电阻靠近 MOS 栅极。
- SDHIN、SDLIN 电流采样走线短直，远离功率大电流回路，防止噪声误触发限流。
- VS 为 600V 高压节点，远离 FB、CP、SS 等小信号走线，避免高压噪声耦合。
- 模拟地 VSS 与功率地 COM 单点汇合，分割功率与信号区域。
七、主流应用场景
隔离半桥大功率充电器、电动车隔离转换器、UPS 电源、工业开关电源、大功率 LED 驱动电源。EG1165S 常搭配 EG4328 等副边芯片实现大功率电池充电系统。