集成电路

IP2766至为芯支持AVS快充的单C口140W快充协议芯片英集芯IP2766是一款应用于氮化镓适配器、车载充电器、智能快充排插等方案的快充协议芯片，支持AVS，PD、QC、SCP等全部快充协议覆盖。单C口140W功率输出，3V~40V输入电压。集成NMOS Buck/Boost控制+同步整流、CC/CV环路，PWM反馈。内置E‑Marker线缆识别、C口正反接保护，支持Class B EMI设计。支持OVP、UVP、OCP、CC引脚保护、NTC过热等保护功能。外围元件少、BOM精简、PCB占面小。采用QFN24封装，体积小巧，适配紧凑型快充产品设计。

IP2736至为芯支持AVS快充的单C口140W快充协议芯片英集芯IP2736是一款应用于氮化镓适配器、车载充电器、智能快充排插等方案的快充协议芯片，支持AVS，PD、QC、SCP等全部快充协议覆盖。单C口140W功率输出，工作电压3V~25V。提供FB分压、光耦反馈、I2C控制等三种调压模式，以适应不同的电源架构。内置电压基准、低端电流采样、可编程V/I环、线损补偿、最多4路NTC温度检测、NMOS驱动（外接VBUS管）。支持OVP、UVP、OCP、短路、NTC过热等保护功能。外围元件少、BOM精简、PCB占面小。采用QFN24封装，体积小巧，适配紧凑型快充产品

IP2759至为芯支持AVS快充的140W三路C口快充协议芯片英集芯IP2759是一款用于多口快充适配器、电源适配器、车载充电器等方案的快充协议芯片。支持AVS，PD3.2、QC等全快充协议覆盖，140W功率输出，提供28V的扩展功率范围。集成三路C口Type-C协议（DFP），3路独立C口，每路独立协议、独立CV/CC环路、独立高端电流采样。电压/电流可编程调压方式包括FB/PWM、光耦、I²C三种方式控制前端电源。内置6路NMOS驱动+3路NMOS压差检测，自带自动电压泄放。采用QFN40封装，节省PCB空间，降低BOM成本。

IP2758至为芯支持AVS快充的140W双C口快充协议芯片英集芯IP2758是一款应用于氮化镓充电器、电源适配器、车载充电器等方案的快充协议芯片。兼容支持AVS，PD3.2、QC等全快充协议覆盖，支持140W输出，28V的扩展功率范围。集成双口Type-C协议（DFP），CC自动识别、正反插，支持数据传输。内置三路独立可编程电压环路，适配多路降压架构，实现精确的电压调节。双路C口独立支持OVP/OCP/OTP/ 短路保护等。提供灵活定制，满足不同客户的个性化需求。采用QFN32封装，体积小巧，便于集成到各种设备中。

IP2723T至为芯支持单C口100W输出的快充协议管理芯片英集芯IP2723T是一款应用于氮化镓充电器、车载充电器、智能排插等方案的快充协议管理芯片，兼容PD3.0、QC、SCP、FCP等全部快充协议覆盖。集成Type-C与USB-A双接口控制单元，支持单口独立输出、双口动态功率分配。单C口最大支持100W功率输出。支持光耦模式、FB反馈模式、I2C接口模式三种调压方式。内置NMOS驱动、功率路径管理、自动泄放电路，支持自动待机低功耗模式，大幅减少外围BOM元件数量。内置20KB OTP-ROM，支持最多3次在线固件升级。内置全链路安全防护，满足车规级可靠性要求

《半导体技术基础》全套PPT课件2026（中国计量大学）《半导体技术基础》全套PPT课件2026（中国计量大学）课件内容： 1.1.1-晶体的特征-1225.pptx 1.1.2-原胞-1225.pptx 1.1.3-晶胞-1225.pptx 1.2.1-晶列晶面-1225.pptx 1.2.2-倒格子-1228.pptx 1.3.1-晶体吉构的对称性晶系 PPT-1228.pptx 1.3.2-晶体的对称点群 PPT-1228.pptx 1.3.3-晶系布拉伐格子-1228.pptx 1.4-晶体的结合-1228.pptx 2-1晶格振动描述.pptx 3-

工作10年+，存储芯片行业

武汉新芯发展历程与产品体系全览目录1. 引言2. 发展历程2.1 起步与奠基（2006—2010）2.2 技术升级与产能扩张（2011—2016）

PY32F071至为芯支持32位ARM内核的高主频MCU单片机普冉PY32F071是一款应用于智能手表、USB外设、遥控器、电子秤的高性能MCU微控制器。基于32位ARM Cortex‑M0+，72MHz工作频率，单周期乘法1.7~5.5V供电电压，兼顾性能与低功耗。内置128KB闪存和16KB静态运行内存。支持内部高速时钟和低速时钟。支持58个通用I/O口，支持外部中断，灵活连接外设。提供Sleep/Stop低功耗模式。内置3路OPA运算放大器+3路比较器CMP，CMP可联动TIM刹车保护，直接做电流采样、过压欠压检测、电桥放大。采用QFN64封装，尺寸小巧，适合

数字电路中的除法与求余最直观的实现，即二进制长除法：恢复余数法（restoring）：余数左移 → 减除数 → 若为负则加回（恢复）并置商位 0，否则置 1。

PY32F005至为芯支持32位ARM内核的高主频MCU单片机普冉PY32F005是一款应用于智能手表、电子玩具、遥控器、小家电的高性能MCU微控制器。ARM Cortex‑M0+，最高48MHz，单周期乘法。1.9V~5.5V宽电压。内置32KB闪存和4KB静态运行内存。HSI高速RC、LSI 32.768kHz低速 RC，可选外部高速时钟等。12位 SAR ADC，最多10路外部通道+4路内部通道，最高采样率1.5Msps，ENOB典型值10.2位。支持Sleep/Stop/Deep-Stop低功耗模式，Stop模式典型1.7μA，LPTIM可定时唤醒。采用QF

PY32F002B至为芯集成32位ARM内核的低成本MCU单片机普冉PY32F002B是一款用于智能照明、筋膜枪、电动玩具、PC外设等方案的32位低成本MCU微控制器。集成ARM Cortex‑M0+内核，最高24MHz，单周期乘法器，4级中断优先级。供电电压1.7V‑5.5V，内置双比较器。集成24KB闪存和3KB静态运行内存。支持sleep/stop低功耗工作模式，Stop 模式典型1.5μA。支持LPTIM、比较器、GPIO唤醒。提供1×USART、1×SPI、1×I2C 400kHz硬件接口等，方便与外部设备进行数据交换。采用TSSOP20或SOP8等多种封装

IP2345至为芯集成PD快充的30W多串锂电池异步升降压充电芯片英集芯IP2345是一款应用于电动工具、吸尘器、智能音箱等充电方案的锂电池充电芯片。支持4到6节锂电池配置，充电功率达30W。兼容PD3.0等主流快充协议。宽输入电压范围5V-15V。搭配14bit ADC与I2C通信接口。可精准测量输入/输出的电压、电流参数。采用异步开关架构，外置MOS管，开关频率 300kHz，覆盖输入过压/欠压/过流、电池短路、外接NTC温度监控等多重防护机制。采用 QFN24 封装，体积小巧，便于集成到各类设备中。

IP2327至为芯集成PD3.0快充输入的18W锂电池升压充电芯片英集芯IP2327是一款应用于电动工具、蓝牙音箱、手持吸尘器等充电方案的锂电池快充管理芯片，2到6串锂电池配置，支持5V/3A、9V/2.2A升压充电。支持18W充电功率，VBUS、BAT引脚耐压36V，开关频率250KHz，兼容集成PD3.0、 AFC等主流快充协议。内置MOS同步Boost升压，外围器件极简，无需外挂功率MOS，方案BOM成本低。可配置1/2/4颗LED，支持I²C通信接口，且具备完善的安全防护。采用QFN24封装，体积小巧，适合紧凑型产品设计。

IP2366至为芯支持C口双向快充的140W锂电池升降压充放电芯片英集芯IP2366是一款应用于电动工具、智能家居、便携音箱、无人机等方案的多串锂电池充电SOC芯片。支持2-6节锂电池串联配置，140W功率充放电，5A充电电流。集成PD3.1、QC3.0等大部分主流快充协议。自适应输入功率，适配器功率不足自动降充电电流。内置14bit ADC库仑计，电量计量，可通过I2C接口获取详细数据。单电感四管同步升降压，外围少，BOM精简，外置4颗NMOS功率管，功率由MOS选型决定。采用QFN40封装，体积小巧，便于集成到紧凑型设备中。

《CMOS模拟集成电路》全套PPT课件2026《CMOS模拟集成电路》全套PPT课件2026课件内容：课件第1-2章绪论-MOSFET器件及模型.ppt 课件第3章电流源与电流镜.ppt 课件第4章基准源.ppt 课牛第5章CMOS单级放大器.ppt 课牛第6章CMOS差分放大器.ppt 课件第7章CMOS放大器的频率响应.ppt 课件第8章噪声.ppt 课件第9章反馈.ppt 第10章运算放大器.ppt 课件第11章稳定性与频率补偿.ppt 课件第12章比较器.ppt 课件第13章开关电容电路.ppt 课件第14章 DAC和 ADC.ppt 课件第

IP5385P至为芯支持1A+2C口双向快充100W新国标移动电源方案芯片英集芯IP5385P是一款为新国标移动电源，充电宝等方案设计的移动电源管理芯片。支持2‑6串锂电池配置，100W双向快充功率，8A充电电流。兼容PD3.2，UFCS、SCP、FCP等主流快充协议，实现“一芯多用”。支持两路C口双向快充，可搭配A口等多种接口组合。任意单口均可实现快充，具备完整新国标能力，故障日志存储、数据上报，满足强制合规要求、且满充电压智能调节，无需额外MCU。单芯片集成升降压 + 协议 + MCU + 电量计，单电感架构，BOM 精简，PCB 面积小，量产性价比高。采用QFN48封装，

读半导体简史13韩国1.1. Flash存储器的历史可追溯至Floating-Gate晶体管的出现1.1.1. 1959年，美籍韩国人Dawon Kahng与美籍华人施敏合作，在贝尔实验室发明了这种晶体管

AI芯片时代，ESD静电保护缘何成为设计刚需AI芯片架构持续演进，静电威胁呈指数级上升。大模型训练与边缘端推理需求，推动云端GPU、NPU及车载AI处理器等算力芯片不断突破工艺极限，晶体管密度已迈进3nm节点。相较于传统通用芯片，AI芯片存在两大先天静电隐患：其一，大规模存储阵列与高速SerDes接口中，栅氧化层厚度被压缩至1nm量级，对静电冲击的耐受能力显著下降；其二，高频率切换的AI算力模块会引发内部电压瞬态剧烈波动，再加上外部插拔操作、人体接触及PCB组装摩擦引入的静电放电（ESD），极易使器件出现不可见的潜在损伤或直接失效。

IP6829至为芯支持PD3.0快充的15W多线圈无线充电发射方案芯片英集芯IP6829是一款应用于手机、智能手表、车载充电器等无线充电方案的无线充电发射SOC芯片。集成 NMOS 全桥驱动 + 全桥功率管、电压 / 电流双路 ASK 解调；省去外置驱动与功率 MOS，外围元件减少 50%，整体方案成本大幅降低。兼容WPC Qi v1.3标准，集成PD3.0、DP/DM等快充输入协议，支持最大15W无线充电功率，满足主流设备需求。兼容A11/A11a、MP-A2、三线圈等多线圈方案，支持低至 5V/500mA普通USB供电，自动检测输入供电能力。采用QFN32封装，体积小巧

《CMOS模拟集成电路设计：理论、方法与工程实现》全套PPT课件《CMOS模拟集成电路设计：理论、方法与工程实现》全套PPT课件课件参考：《CMOS模拟集成电路设计——理论、方法与工程实现》蔺智挺教材