目录
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- [1 SDRAM](#1 SDRAM)
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- [1.1 同步动态随机存储器](#1.1 同步动态随机存储器)
- [1.2 位宽](#1.2 位宽)
- [1.3 SDRAM结构](#1.3 SDRAM结构)
- [1.4 SDRAM引脚图](#1.4 SDRAM引脚图)
- [2 SDRAM操作指令](#2 SDRAM操作指令)
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- [2.1 读写指令](#2.1 读写指令)
- [2.2 刷新和预充电](#2.2 刷新和预充电)
- [2.3 配置模式寄存器](#2.3 配置模式寄存器)
- [2.4 读/写突发](#2.4 读/写突发)
- [2.5 数据屏蔽](#2.5 数据屏蔽)
SDRAM是DDR3的基础，在学习DDR3之前，我们先来学习一下SDRAM的相关知识。
1 SDRAM
1.1 同步动态随机存储器
- SDRAM:synchronous dynamic random access memory
- 同步：其时钟频率与CPU前端总线的系统时钟频率相同，且内部命令的发送和数据的传输都以该时钟频率为基准
- 动态：SDRAM是易失性存储器，需要不断刷新以保证数据不丢失
- 随机：数据存储的位置可自由指定
1.2 位宽
- 物理Bank = CPU位宽
- 逻辑Bank：SDRAM内部划分的片区，一个SDRAM有多个逻辑Bank
- 芯片位宽 = 每片SDRAM的位宽
1.3 SDRAM结构
- 逻辑Bank
下图为一个逻辑Bank的示意图，由7行9列构成，每个单元携带m个bit，m是芯片位宽。
1.4 SDRAM引脚图
- 常用引脚
| 名称 | 引脚号 |
|---|---|
| 时钟线 | CLK |
| 时钟使能 | CKE |
| 行列地址 | A0~A11（行列地址总线共用） |
| Bank地址 | BA0、BA1 |
| 数据线 | DQ0~DQ31 |
| 数据掩码 | DQM |
| 命令总线 | WE#、CAS#、RAS#、CS# |
DQM线在作用时，如果是对写操作进行数据掩码，则DQM会阻止写入，如果对读操作进行数据掩码，则会在数据读出后再屏蔽掉。
- 其他引脚
| 名称 | 引脚号 |
|---|---|
| 电源 | VDD、VSS |
| 不连接 | NC |
2 SDRAM操作指令
2.1 读写指令
- step1:激活命令，在读写操作之前，激活行地址和bank地址
- 行激活和Bank激活是同一个指令，激活了某一行也就激活了对应的Bank
- step 2:读写命令，列激活命令和读写指令是同时进行的
- ACTIVE指令前需要先进行预充电，即PRECHARGE指令
2.2 刷新和预充电
每读/写完一次后要进行预充电以保证数据不丢失，预充电分为手动和自动。刷新和预充电的区别在于刷新具有周期性和全面性。周期性指的是每隔多少ms进行一次刷新，全面性指的是对所有bank进行刷新。
2.3 配置模式寄存器
- 下图是配置模式寄存器在SDRAM操作时序中的位置
CL：从列地址激活到数据出现在IO上的延迟，读数据时的CL：
2.4 读/写突发
2.5 数据屏蔽
- 写数据屏蔽和读数据屏蔽的区别
在写数据屏蔽时，会直接将写数据屏蔽掉，让数据写不进去。在读数据的过程中，无法直接屏蔽（无法阻止数据读出，但读出数据之后会通过读数据寄存器，将不想要的数据屏蔽掉。 - 写入/读出数据时，DQM的区别
写入数据时，DQM为低时的数据被写入，DQM拉高时数据被屏蔽。
读出数据时，DQM有CL的延迟。
