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准备知识
P型 N型半导体
- P型半导体带正电(因为多子是空穴)
即便是掺入少量杂质，带来的空穴 也远比本征半导体的热激发的电子 多
参考
- N型半导体带负电(因为多子是电子)
多子 少子
多子受温度影响小 （因为多子基数大，如一百亿加上500可以忽略不计）
少子受温度影响大(热激发)
郑益慧解释多子受温度的影响
PN结的形成
必要的概念
- 扩散运动：从浓度高 的地方运动到浓度低 的地方 郑老师讲pn结的形成
- 漂移运动：
PS:图中的
蓝色负号的圈 表示硼离子 （固定在晶格中，不能导电）
红色正号的圈 表示磷离子
从GIF图中可注意到：
- 在P区，N区的多子往中间汇合时发生了复合，最后形成了一段空间电荷区。
- 空间电荷区 犹如"楚河汉界"，载流子因为复合变得很少很少。被称作耗尽层 ，也正是PN结。
- 空间电荷区 (耗尽层)对扩散运动 起阻碍作用，对漂移运动 起促进作用。
