PN结--

文章目录

• 准备知识
• • [P型 N型半导体](#P型 N型半导体)
  • [多子 少子](#多子 少子)
• PN结的形成

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准备知识

P型 N型半导体

• P型半导体带正电(因为多子是空穴)
  即便是掺入少量杂质，带来的空穴 也远比本征半导体的热激发的电子 多
  参考
  
• N型半导体带负电(因为多子是电子)
  

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多子 少子

多子受温度影响小 （因为多子基数大，如一百亿加上500可以忽略不计）

少子受温度影响大(热激发)
郑益慧解释多子受温度的影响

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PN结的形成

必要的概念

• 扩散运动：从浓度高 的地方运动到浓度低 的地方 郑老师讲pn结的形成
• 漂移运动：
  

PS:图中的
蓝色负号的圈 表示硼离子 （固定在晶格中，不能导电）
红色正号的圈 表示磷离子

从GIF图中可注意到：

1. 在P区，N区的多子往中间汇合时发生了复合，最后形成了一段空间电荷区。
2. 空间电荷区 犹如"楚河汉界"，载流子因为复合变得很少很少。被称作耗尽层 ，也正是PN结。
3. 空间电荷区 (耗尽层)对扩散运动 起阻碍作用，对漂移运动 起促进作用。