数字IC后端实现之PR工具中如何避免出现一倍filler的缝隙?

在数字IC后端实现中,由于有的工艺foundary不提供Filler1,所以PR工具Innovus和ICC2在做标准单元摆放时需要避免出现两个标准单元之间的缝隙间距是Filler1。为了实现这个目的,我们需要给PR工具施加一些特殊的placement constraint(典型案例就是咱们社区TSMC 28nm项目)。

数字IC后端设计实现之Innovus place报错案例 (IMPSP-9099,9100三种解决方案)

下面分别分享ICC2和Innovus两个工具的做法。

【思考题】为何同是28nm工艺,GlobalFoundary为何支持任意两个标准之间的间距是一倍Filler的宽度?

ICC2中实现脚本:

###删除现有的spacing rule

remove_placement_spacing_rules -all

###设置placement的spacing rule来控制cell的摆放 (这样设置还可以避免一些DRC)

set_placement_spacing_label -name X -side both -lib_cells [get_lib_cells / ]

set_placement_spacing_rule -labels {X X} {0 1}

###检查设置是否成功

report_placement_spacing_rule > spacing_rule.rpt

延伸:这里也可以针对设计中那些不好绕线的cell来设置spacing rule来避免DRC。

set_placement_spacing_label -name X -side both -lib_cells [get_lib_cells /AOI]

Innovus中实现脚本:

setPlaceMode -place_detail_legalization_inst_gap 2

相关推荐
IC拓荒者14 天前
数字IC后端设计实现十大精华主题分享
数字ic后端·数字后端培训·calibre lvs·clock tree·clock gating时序·innovus案例
IC拓荒者15 天前
芯片Tapeout power signoff 之IR Drop Redhawk Ploc文件格式及其意义
数字后端培训·ic后端培训·innovus零基础·io ring·pad ring·redhawk·ir drop
IC拓荒者21 天前
数字IC后端设计实现篇之TSMC 12nm TCD cell(Dummy TCD Cell)应该怎么加?
数字ic后端·数字后端培训·tsmc12nm·dummy tcd·tcd工艺校准·数字后端零基础入门·a55 a72 cpu
IC拓荒者21 天前
芯片级IO (Pad) Ring &IP Checklist
esd·数字ic后端·ic后端培训·innovus零基础·io ring·pad ring·checklist
IC拓荒者1 个月前
数字IC后端实现常见的physical only cell都有哪些?如何添加这些cell?
数字ic后端·数字后端培训·physical cell·latchup栓锁效应·endcap cell·boundary cell·ic后端设计实现
IC拓荒者1 个月前
数字IC后端设计实现之分段长clock tree经典案例
occ·时钟产生电路·ic后端培训·时钟树综合·clock tree·innovus零基础·分段长clock tree
IC拓荒者1 个月前
华为海思2025届校招笔试面试经验分享
经验分享·华为·面试·数字ic后端·ic秋招·海思校招面经·校招笔试面试
IC拓荒者1 个月前
IC数字后端实现之大厂IC笔试真题(经典时序计算和时序分析题)
数字ic后端·静态时序分析·数字后端培训·ic后端笔试题·ic秋招笔试真题·芯原ic后端笔试·时序timing分析
IC拓荒者2 个月前
数字后端零基础入门系列 | Innovus零基础LAB学习Day11(Function ECO流程)
数字ic后端·数字后端培训·innovus零基础lab·innovus零基础入门·function eco·post-mask eco·innovus eco步骤