文章目录
- [0 前言](#0 前言)
- [1 设计信息](#1 设计信息)
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- [1.1 设计需求](#1.1 设计需求)
- [1.2 原理图](#1.2 原理图)
- [1.3 电源表现](#1.3 电源表现)
- [2 原因分析](#2 原因分析)
- [3 横向对比](#3 横向对比)
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- [TI UCG28826 （GaN）](#TI UCG28826 （GaN）)
- 采购的普通QR反激变换器
- [4 总结](#4 总结)
0 前言
笔者原计划设计一款省电的，效率尚可的，稳定的2路输出反激电源，用于系统供电。选定JW15158B作为反激控制器。
设计出来的电源带载能力尚可，但输出端受到开关噪声影响，始终存在与原边同步的开关尖峰，尝试多种方式无果。
1 设计信息
1.1 设计需求
输入：85~265VAC
输出：12V2.5A + 15V1.0A 双路输出，峰峰值要求<±150mV。
1.2 原理图
有需要的读者请私信笔者。
1.3 电源表现
示波器接线非严格按纹波测量要求测试
空载（注意时间分辨率）：
带载（12V1.6A）
尝试很多调整方式都无法将开关噪声抑制到目标要求，包括但不限于如下方法：
环路优化、RCD参数调整、输出滤波、输出RC吸收电路参数调整、初次级Y电容参数调整、变压器调整（470uH，漏感<10uH)。
探头按纹波测试方式接线
！！！！！！
空载电压峰峰值260mV，12V1A带载时峰峰值340mV。
！！！！！！
2 原因分析
理论上来说，GaN的开关频率比MOSFET的要高，可以做到更优秀的输出纹波。难道是dv/dt变大的原因导致输出受到更大的噪声干扰？
还没找到更好的解决方案。路过大神多多指点。
3 横向对比
TI UCG28826 （GaN）
链接: UCG28826
链接: EVM User's Guide: UCG28826EVM-093
从评估板测试报告中可以找到如下图示。由于分辨率是10V/格，不能很好的分析输出电压波动情况，我用卡尺量了一下每格高度和输出电压的峰峰值，结果发现20V输出居然有3V的峰峰值 ！
也查了一下其他家GaN的反激控制器，其应用领域都是在USD PD充电上。猜想是不是这个应用场景对于电压的稳定性要求没有那么高。
采购的普通QR反激变换器
输出峰峰值可以做到200mV。也是非严格测量方式接线测量。说明去除测量手法的影响，还有改进空间。
4 总结
问题还没解决，同志还须努力。