FT8370A/B/C/CD/CP高性能次边同步整流芯片典型电路及管脚定义

FT8370x 是 辉芒微(FMD)推出的次边同步整流驱动器家族,专为 DCM/QR 模式反激转换器设计。系列成员包括:

  • FT8370A(SOP-8)

  • FT8370B(SOP-8)

  • FT8370C(SOP-8)

  • FT8370CD(DIP-8)

  • FT8370CP(PSOP-8,带散热焊盘)

共同特点:

  • 内置 同步整流 MOSFET

  • 栅电荷小、导通电阻低、开关速度快

  • 极少外围元件(无需自举电容、肖特基二极管)

  • 输出欠压快速检测 ,可配合原边 FT8393x 实现 超快动态响应

典型应用:反激次边"极简"示范

工作逻辑:

  1. 次级电流正向流动时,内部MOS同步整流,替代肖特基,效率提升3~5%

  2. VDET实时监测输出电压,低于设定值时发送"缺电脉冲"至原边

  3. 原边FT8393x收到脉冲后立即提升开关频率/占空比动态响应<100μs

实测:12V/2A输出,效率从87.1%→91.4%输出纹波下降40%

管脚定义:一张表看懂所有型号

管脚功能 FT8370A/B/C/CD FT8370CP 描述
1 DR 1 DR 同步整流MOS驱动输出(接外部MOS栅极,芯片已内置MOS时悬空
2 VDET 2 VDET 双功能 : ① 内部MOS漏源电压检测 ② 输出欠压信号输出(开漏,低有效)
3 NC 3 NC 未连接,可接地或悬空
4 VCC 4 VCC 芯片供电(推荐4.7µF陶瓷到GND)
5,6,7,8 GND 6,7,8 GND 同步整流MOS源极,功率地
7,8 Drain 5 + Exposed PAD 内置MOS漏极,底部散热片即Drain,Layout时需让次边电流"先流经GND脚,再进入Drain"

关键提示 :底部散热片(Exposed PAD)= Drain不能接地! 必须作为功率节点处理,铺铜面积≥20mm²,打3×3过孔到内层,兼顾散热与电流。

封装差异:如何选对型号?

型号 封装 散热路径 持续电流建议 特点
FT8370A/B/C SOP-8 通过Drain脚散热 2A 通用型,成本低
FT8370CD DIP-8 通过Drain脚+引脚散热 2.5A 插件,维修方便
FT8370CP PSOP-8 底部Drain焊盘散热 3A+ 大电流,散热最佳

选型口诀
2A以下选SOP,3A以上选CP;插件波峰选CD,两层板过EMI选CP。

PCB Layout 4 条铁律

  1. 电流路径先GND后Drain

    次边电流必须先流经GND(5,6,7,8)脚 ,再进入Drain散热片,否则芯片误动作。

  2. VDET走线短而远离高压

    VDET既做检测又做信号输出,长度<10mm远离SW与Drain铜皮,防止dV/dt误触发。

  3. VCC去耦电容贴近4脚

    4.7µF X7R陶瓷,距离VCC<2mm ,GND回路独立,不与功率地共用回流

  4. 底部散热片=Drain节点

    铺铜≥20mm²,3×3过孔到内层不要接地! 不要接地! 不要接地!

实测数据:FT8370CP @12V/3A

项目 数值
输入电压 24V DC
输出电压 12V
输出电流 3A
效率 91.8%(原边FT8393x)
输出纹波 60mV
动态响应 0→3A ±120mV,恢复时间<80μs
芯片表面温升 18℃(TA=25℃,无风)

效率提升 :同条件肖特基方案仅87.2%,同步整流净增4.6%,整机温降8℃。

常见问题速答

Q1. 可以单独使用FT8370x吗?

可以 ,芯片自带MOS,无需外接肖特基 ,但需原边控制在DCM/QR模式

Q2. VDET怎么接到原边?

→ VDET为开漏输出 ,通过光耦或电容耦合 把"欠电脉冲"送至原边FB或EN脚,详细电路参考FMD官方参考设计

Q3. 底部散热片能接地吗?

绝对不能! 它是Drain高压节点 ,接地即短路,Layout前务必看封装图

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