STM32H743-ARM例程41-FMC_INDEP

实验平台

硬件：银杏科技GT7000双核心开发板-ARM-STM32H743XIH6，银杏科技iToolXE仿真器

软件：最新版本STM32CubeH7固件库，STM32CubeMX v6.10.0，开发板环境MDK v5.35，TCP&UDP测试工具，串口工具putty

网盘资料包：链接: https://pan.baidu.com/s/1Y3nwaY4SMxfoUsdqPm2R3w?pwd=inba 提取码: inba

FSMC的地址映射

FMC是Flexible memory controller的缩写，译为灵活的静态存储控制器。它可以用于驱动包括PSRAM、SDRAM以及NAND FLSAH类型的存储器，也可以用于驱动液晶屏幕等模块。

FSMC连接好外部存储器并初始化后，就可以直接通过访问地址来读写数据。因为外接的存储单元是映射到STM32的内部寻址空间的。FMC的地址映射如下所示。由于使用了FMC_NE1（FMC_CS）引脚作为片选信号，我们使用的是ARM的BANK1地址空间。

FSMC框图剖析

如下图所示，GT7000核心板上，FMC协议需要ARM与FPGA之间有这么多IO相连，具体引脚的功能如下：

(1)FMC_CS（片选信号）：低电平片选信号有效，高电平失能（默认状态为高：失能）；

(2) FMC_NADV（地址有效信号）：上升沿锁存地址的低位（FSMC复用地址模式时有用，独立地址模式是不用）；

(3) FMC_RD（读信号）：读数据信号，低电平有效，上升沿锁存数据，高电平失能（默认状态为高：失能）；

(4) FMC_WR（写信号）：写数据信号，低电平有效，上升沿锁存数据，高电平失能（默认状态为高：失能）；

(5) FMC_AB $23:16$ ：地址总线；

(6) FMC_DB $31:0$ ：数据总线。

相信细心的小伙伴们已经发现了，GT7000的FMC地址总线并不是从0位开始的，而是从16位开始的，这么做主要的目的是因为：STM32还配有一块SDRAM，占用了FMC地址线的0~15位。

FMC分为两种通信模式：独立地址模式和复用地址模式。独立地址模式意味着地址总线只能用来传输地址数据，那么可使用的地址线只有FMC_AB $23:16$ 共8根，可访问的地址空间只有256个。如果独立地址模式下地址空间不够用，我们还可以使用复用地址模式，复用地址模式意味着地址总线+数据总线上的数据作为地址，那么整个BANK的地址空间都可以使用。

当使用独立地址模式时，地址数据在ARM端需要左移18位才能被正常解析；在复用地址模式下，地址数据在ARM端要左移2位才能被正常解析。（在STM32使用32位数据位宽时，访问地址必须先左移2位.，才能正确输出地址信号）详见STM32参考手册22.6.1章节。

FMC读写FPGA的时序

FMC外设支持输出多种不同的时序以便控制不同的存储器，共有ABCD四种模式，这里我们使用的是A模式读写，下图为FMC模式A的读时序。

FMC模式A的写时序如下。

本次实验内容为，将STM32H743的引脚连接到FPGA，FMC配置为非复用模式，向FPGA发送和接受数据。本实验为了验证ARM和FPGA之间的数据传输是否正确，在STM32程序中自动生成数据，通过FMC向FPGA写数据并读回进行对比判断。两组数据相同，说明通信正常；不同，则说明通信异常。FPGA内部例化了RAM（RAM IP核的使用详见后面单双口RAM数据存取实验），用于缓存STM32发过来的数据，并对FMC的信号进行处理，实现数据的接收。

所谓独立地址模式，就是A $23:16$ 地址线只发送地址，DB $15:0$ 数据传输线只发送数据。本实验FPGA例化的RAM深度为256字节，所以地址线需要占用A $23:16$ 的8位。由于地址线和数据线是相互独立的，因此不需要NADV信号进行判断，驱动较为简单。

STM32CubeMX生成工程

我们参考前面章节STM32H743-结合CubeMX新建HAL库MDK工程，打开CubeMX软件，重复步骤不再展示，我们来看配置FMC部分如下图所示：

实验步骤

1、依据前面相关章节所述，新建一个名为fmc_indep的工程。双击桌面Vivado 2020.2图标打开Vivado开发环境，按如下操作步骤进行。

（1）起始页------点击Create Project；

（2）向导起始页------点击Next；

（3）Project Name界面------工程名fmc_indep，设置工程路径，点击Next；

（4）Project Type界面------选择RTL Project，点击Next；

（5）Default Part界面------Family选择Artix-7，Speed grade选择-2，GT7000 100T的核心板，Package选择fgg484，在过滤后的结果中选择目标器件为xc7a100tfgg484-2；GT7000 200T的核心板，Package选择fbg484，在过滤后的结果中选择目标器件为xc7a200tfbg484-2，点击Next；

（6）New Project Summary界面------确认无误后，点击Finish完成。

建立好的工程如下图所示。

2、新建工程设计文件。具体步骤如下。

（1）主窗口左侧边栏Project Manager下点击Add Sources；

（2）Add Source弹窗选择Add or create design sources，点击Next；

（3）Add or Create Design Source弹窗点击Create File；

（4）Create Source File弹窗，File name设置为fmc_indep，其它默认，点击OK；

（5）以相同方式添加fmc_ctrl.v和led_ctrl.v文件；

（6）Add or Create Design Source窗口点击Finish；

（7）Define Module弹窗点击OK，之后的弹窗点击Yes，文件新建完成。如下图所示，Source窗口文件已经加入工程了。

3、添加并配置PLL IP核使其输出100MHz时钟。具体步骤如下。

（1）主窗口左侧边栏Project Manager下点击IP Catalog；

（2）IP Catalog窗口搜索框内输入CLOCK，点击搜索；

（3）双击Clocking Wizard，弹出配置窗口；

（4）Clocking Options标签页下，Input Clock Information中clk_in1时钟频率修改为50；

（5）Output Clocks标签页下，Enable Optional Inputs/Outputs for MMCM/PLL中取消勾选reset和locked；

（6）其余选项保持默认，点击OK，Generate Output Products弹窗点击Generate。

4、添加并配置RAM IP核。具体步骤如下。

（1）主窗口左侧边栏Project Manager下点击IP Catalog；

（2）IP Catalog窗口搜索框内输入block memory，点击搜索；

（3）双击Clocking Wizard，弹出配置窗口；

（4）将IP核命名为my_ram；

（5）在Port A Options标签页中，设置数据位宽为32bit，设置读写深度为256，Operating Mode选择No Change，取消勾选Primitives Output Register；

（6）其余选项保持默认，点击OK，在Generate Output Products弹窗点击Generate。

5、接下来进行Verilog代码的设计。

csharp 复制代码

//--------------------wire---------------------------------//
wire rd = (fmc_csn | fmc_rdn);
wire wr = (fmc_csn | fmc_wrn);

//--------------------clk----------------------------------//
reg wr_clk1,wr_clk2;    

always @(posedge clk_100m or negedge rst_n)
    begin
        if(!rst_n)
            begin
                wr_clk1 <= 1'd1;
                wr_clk2 <= 1'd1;
            end
        else
            {wr_clk2,wr_clk1} <= {wr_clk1,wr};  //wr打一拍
    end
    
wire clk = (!wr_clk1 | !rd);
    
//--------------------db_out-------------------------------//
wire [31:0]db_out;
assign fmc_db = !rd ? db_out : 32'hzzzz;

wire [31:0] db_in;
assign db_in = fmc_db;

//--------------------my_ram-------------------------------//
my_ram my_ram_inst(
    .clka(clk),
    .ena(1'b1),//ram使能
    .wea(!wr&rd),//ram 读写使能信号,高电平写入,低电平读出
    .addra(fmc_ab),
    .dina(db_in),
    .douta(db_out)
);