QS-100是什么？
QS-100 是一款基于芯翼 XY1100 的工业级 NB-IoT 无线通信模组，具有高性能、低功耗、多频段等多个产品优势，协议上完全兼容 R13 和 R14，软件升级支持 R15，内嵌 TCP、UDP、MQTT、COAP 等多种通信协议栈，支持中国移动 OneNET ，中国联通云和中国电信 IoT 物联网云平台，方便客户应用。
QS-100 模组采用 44pins 的 LGA 封装，其尺寸为 15.8mm*17.7mm*2.2mm。
这是一位嘉立创 @吃一只小黄鱼 的开源作品，可以下载到本地参考。
https://oshwhub.com/grampus/qs100
QS-100的引脚定义
电源部分
我们直接用3V3供电：
复位电路部分
我们引出网络，之后实现
实现部分
注意是高电平复位。
USART串口部分
我们主要使用主串口收发AT指令，因此其他串口可以直接悬空。
要注意的是，串口仅支持3V，不支持3V3，因此需要调节电压：
我们也暂时先引出网络，之后实现：
调试电路实现部分
收发AT指令都需要主控stm32来操作，因此需要把QS-100的UART与STM32的UART连接起来。
对于QS-100来说，通讯引脚是17 18对应网络编号是NB-U0RXD NB-U0TXD，
对于STM32来说，我们选用PB10 PB11对应的是USART3接口
为了确认收发AT指令是什么，也为了方便调试，需要添加一个调试器：
调试的话就是读取TX RX的数据，只要把他们引到同一个网络下就可以获取到这个网络的数据了
、
这样插入这个母头就能监听RX TX的内容了！
SIM卡电路部分
这里给出了示例电路，同时其对布线的要求较为严格：
这部分也同样比较复杂，因此也仅引出网络，之后实现模块：
实现模块
SIM卡插槽选用这个
注意，手册没有给示例电路和引脚连接图，因此你需要记住：VPP VCC都是要连SIM-VDD的，其余引脚很好辨认与主控的网络连接。
这个IO是要和SIM_DATA连接的，而且要求外接上拉电阻，而VPP就是高电平，因此可以直接在VPP和IO之间接上拉电阻，同时添加SIM_DATA网络。
然后我们看到：
ADC部分
我们这里不用ADC可以悬空。
状态显示部分
用一个状态显示LED：
SPI I2C部分
用不到，悬空。
天线与射频阻抗匹配部分
要求阻抗是50欧，我们选用这个模块：
其频率和阻抗都符合要求
接入：
整体：
QS-100方面：
主控方面：
SIM_VDD 引脚为什么要加电容再接地？
这是一个非常关键的硬件设计问题。答案是：为了电源去耦（decoupling）和滤波（filtering），确保 SIM 卡供电稳定、抗干扰，从而保证通信可靠。
核心原因：抑制电源噪声 + 提供瞬态电流
1. SIM 卡对电源质量敏感
- SIM/USIM 卡内部是一个微型智能卡芯片（带 CPU、EEPROM），工作电压通常为 1.8V 或 3.0V。
- 它通过 异步串行协议 与主控通信（如 9600 bps），对电源波动极其敏感。
- 若 VDD 上有噪声或电压跌落，会导致：
- 复位失败
- 数据误码（ACK/NACK 错误）
- 甚至永久性"锁卡"
2. 主控端（如 4G 模组）的 SIM_VDD 是动态供电
- SIM_VDD 并非一直输出，而是在检测到卡插入后才开启。
- 在初始化阶段，模组会 交替尝试 1.8V 和 3.0V 供电（最多 4 次）。
- 每次切换电压或发送命令时，SIM 卡内部电路会产生 瞬态电流需求。
如果没有本地储能电容，这些瞬态电流只能从远处电源走线获取 → 走线电感导致电压跌落（ΔV = L·di/dt）→ 通信失败。
✅ 二、电容的作用详解
表格
| 电容类型 | 典型值 | 作用 |
|---|---|---|
| 高频去耦电容 | 33pF | 滤除射频干扰（如来自天线的 900MHz/1800MHz 耦合噪声） |
| 中频滤波电容 | 100nF (0.1μF) | 抑制数字开关噪声（如 MCU 时钟、数据线串扰） |
| 低频储能电容 | 1μF ～ 4.7μF | 提供瞬态电流，防止电压跌落（尤其当 SIM_VDD 走线较长时） |
📌 典型推荐组合（来自合宙、移远等模组厂商）：
- 33pF + 100nF 必须靠近 SIM 卡座放置
- 若走线 >5cm，增加 1μF 或 4.7μF
✅ 三、为什么必须"接地"？
- 电容只有连接在 电源（SIM_VDD）和地（GND）之间 ，才能形成 低阻抗回路。
- 高频噪声电流会通过电容 旁路到地，而不是流入 SIM 卡。
- 接地路径必须 短而宽，否则寄生电感会削弱滤波效果。
⚠️ 错误做法：电容远离卡座、接地走线过长 → 滤波失效。