为什么会产生瞬间导通？
1. 硬件开关延迟不对称
MOSFET/IGBT的开通延迟(t_d(on)) 和关断延迟(t_d(off)) 通常不相等：
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上管关断延迟：100ns
下管开通延迟：50ns
↓
如果同时发送"上管关断、下管开通"信号
↓
由于关断更慢，可能出现：
上管还没完全关断，下管已经开通
↓
直通短路！2. PWM突然停止时的状态不确定性
当BKIN突然触发时：
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正常状态：上管开，下管关
BKIN触发 → 立即关闭所有输出
理论上：两个管子都应该关断
实际上：
- 驱动器响应时间不同
- 栅极电荷泄放速度不同
- 可能产生短暂的两个管子都部分导通个人注：这个短暂的时间是指，上管还没来及的完全关闭，下管由于干扰因素导致意外导通，例如下一条所说的寄生电容
3. 寄生参数引起的振铃效应
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快速关断时：
电感能量释放 → 电压尖峰 → 通过米勒电容耦合
→ 可能意外开通另一个管子具体场景分析：
场景1：没有死区，突然关闭互补PWM
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初始状态：CH1=高（上管开），CH1N=低（下管关）
BKIN触发：CH1=低，CH1N=低（理想情况）
实际时序：
t0: BKIN触发
t1: CH1开始下降（上管关断）
t2: 上管实际关断（有延迟）
t3: CH1N维持低电平
风险：如果CH1N有任何毛刺或振铃
可能在下管栅极产生正向电压
导致下管意外开通场景2：关闭过程中的米勒效应
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高速开关时：
上管关断 → Vds快速上升
通过Cgd（米勒电容）耦合到下管栅极
→ 下管栅极电压被"抬升"
→ 可能超过阈值电压而意外开通实际波形示例：
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没有死区保护的错误情况：
_________
CH1 ______| |__________
↑
CH1N ____________| |______
↑
这个瞬间两个管子可能同时导通！
（由于关断延迟和信号传播差异）死区如何防止这个问题？
死区在关断时的作用：
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安全关闭序列：
1. 首先关闭当前导通的管子（如上管）
2. 插入死区时间（确保上管完全关断）
3. 然后才允许另一个管子开通（但BKIN时不会开通）
个人注：这个允许是指硬件允许，死区时间设置的也是硬件
BKIN触发时的保护：
BKIN → 硬件强制：
CH1立即变低 + CH1N立即变低
↓
但死区控制器会：
1. 确保CH1和CH1N不会同时有有效电平
2. 即使软件错误配置，硬件也保证安全验证实验建议：
如果你有示波器，可以测试：
测试1：正常开关的死区观察
c
// 设置很小的死区
bdtr.TIM_DeadTime = 0x01; // 最小死区观察：正常PWM切换时可能已经有风险
测试2：BKIN触发的瞬间
c
// 设置死区为0
bdtr.TIM_DeadTime = 0x00;
// 触发BKIN，用示波器同时抓：
// 1. CH1和CH1N引脚电压
// 2. 电源电流（可能看到尖峰）可能观察到：电流尖峰，表明有直通发生
工程实践经验：
必须加死区的情况：
-
任何H桥/半桥电路
-
即使有BKIN保护
-
即使PWM频率很低
-
即使使用"软关断"技术
死区时间计算参考：
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最小死区时间 =
MAX(t_d_off(上管) - t_d_on(下管),
t_d_off(下管) - t_d_on(上管))
+ 安全裕量（通常20-50%）
例如：
上管：t_doff=120ns, t_don=60ns
下管：t_doff=110ns, t_don=55ns
差值：120-55=65ns, 110-60=50ns
取最大值：65ns
加30%裕量：≈85ns结论：
是的，没有死区时突然关闭PWM确实可能产生瞬间导通，原因包括：
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开关管延迟时间不对称
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驱动器响应时间差异
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寄生参数引起的耦合
-
信号传播路径不同
死区时间 不仅是正常PWM切换时的保护，在紧急关断（BKIN触发）时同样重要，它确保即使在最紧急的故障情况下，关断过程也是安全的。这就是为什么STM32将这两个功能放在同一个寄存器（BDTR）中配置------它们共同构成了完整的硬件级安全保护体系。