N MOS
电子迁移率较大，导通电阻较低，导通损耗更小
P MOS
电子迁移率较小，导通电阻较高，导通损耗更大
相同规格情况下，P MOS的成本更高。
NMOS 与 PMOS 的本质区别
1. 载流子不同
- NMOS ：导电靠 电子（N 型）
- PMOS ：导电靠 空穴（P 型）
2. 开启电压（VGS）不同
- NMOS ：VGS > Vth（正电压）导通高电平导通，低电平截止
- PMOS ：VGS < -|Vth|（负电压）导通低电平导通，高电平截止
简单记：N 正通，P 负通
3. 接法与电位不同
- NMOS ：源极 S 通常接 低电位（GND）
- PMOS ：源极 S 通常接 高电位（VDD）
4. 导通能力（速度）
- NMOS ：电子迁移率高 → 导通电阻小、速度快
- PMOS：空穴迁移率低 → 速度较慢
所以数字电路里 NMOS 性能更好，但 CMOS 必须两者配合。
5. 典型用途
- NMOS ：常用作 低端开关（接地侧）
- PMOS ：常用作 高端开关（电源侧）
一句话超级总结
- NMOS：高电平导通，接 GND，导电快
- PMOS：低电平导通，接 VDD，导电慢