1. 千兆以太网电路
RV1126B芯片拥有1个GMAC控制器，可以对外提供RMII/RGMII接口扩展外置以太网百兆/千兆PHY芯片，也可以切换到内置的百兆FEPHY上，二者只能选择其中一个，不能同时使用。
GMAC控制器支持以下功能：
l 支持 10/100/1000 Mbps 数据传输速率的 RGMII 接口
l 支持 10/100 Mbps 数据传输速率的 RMII 接口
RGMII 连接示图13，具体电路请见参考图14（GEPHY 工作时钟使用外置 25MHz 晶体）
1.1 原理图设计建议
图1 千兆以太网电路
RGMII/RMII 接口的设计注意事项：
l 在 RGMII 模式下，RV1126B 芯片内部 TX/RX 时钟路径集成了 delayline，支持调整；参考图默认配置是：TXCLK 与 data 之间时序由 MAC 来控制，RXCLK 与 data 之间时序由 PHY 来控制（如使用**8211F/FI 即 RXCLK 默认开启 2ns delay，其它 PHY 要注意这个配置）。
l Ethernet PHY 的 Reset 信号需要用 GPIO 来控制，GPIO 电平必须和 PHY IO 电平匹配，靠近PHY 管脚必须增加 100nF 电容，加强抗静电能力，注意： **8211F/FI 的复位管脚只支持 3.3V电平。
l **8211F/FI 的 INTB/PMEB 为开漏输出，外部必须增加上拉电阻。
l PHY 使用外置晶体时，晶体电容请根据实际使用的晶体的负载电容值选择，控制频偏在+/-20ppm 以内。
l **8211F/FI 的 RSET 管脚外接电阻为 2.49K ohm 精度为 1%，不得随意修改。
l PHY 的初始化硬件配置必须和实际需求匹配。
l MDIO 必须外部加上拉电阻，推荐 1.5-1.8Kohm，上拉电源必须和 IO 电源保持一致。
l 变压器中心抽头的连接必须按参考各 Ethernet PHY 厂家的参考设计，因为不同的 PHY 厂家会有不同的连接方式。
l 1000pF 隔离电容建议采用高压安规电容，有足够大的电气间隙保证雷击的安全性。
l 网络变压器高压侧的 75 ohm 电阻建议采用 0805 以上的封装。
l 雷击防护等级达到 4KV 以上需要增加防雷管，普通的隔离变压器只能满足 2KV 等级要求。
l 如果有雷击差分测试要求，MDI 差分对间需要增加 TVS 管。
l 务必确认 RJ45 封装和原理图是否一致，RJ45 有分 Tab down 和 Tab up，信号顺序刚好是相反，如果使用**8211F/FI 建议采用 Tab down，MDI 顺序是顺的。
1.2 PCB设计建议
l 放电管和接地电容需要放在接口处，并连接到大地；
l ESD器件需要靠近接口放置；
l 复位信号比较敏感，需要与高速信号隔开；
l 晶体电路布局需要优先考虑，布局时应与芯片在同一层并尽量靠近放置以避免打过孔，晶体走线尽可能的短，远离干扰源，尽量远离板边缘；
l 晶体以及时钟信号需要全程包地处理，包地线每隔200mil至少添加一个GND过孔，并且必须保证邻层的地参考面完整；
l 晶体电路布局时如果与芯片不同层放置，晶体走线及必须全程包地处理，避免被干扰；
l 时钟走线Xin和Xout以及晶体下方投影区域禁止任何走线，避免噪声耦合进入时钟电路；
l 晶体下方的第二层保持完整的地参考平面，避免任何走线分割，有助于隔离噪声保持晶体输出的稳定；
l RGMII布线要求如下：
