一、产品整体概述
EG6288 是屹晶微电子三相独立半桥栅极驱动芯片，无内置功率 MOS，外接六路 N 沟道 MOS/IGBT ；提供TSSOP‑20、QFN‑24 两种封装；每相独立半桥，内置自举二极管，无需外接自举二极管 ；VB 悬浮耐压最高220V ；VCC 供电5‑20V，典型 15V ；图腾柱输出拉电流 1.8A、灌电流 2.3A；HIN、LIN 全部高电平有效；每相独立硬件死区、同桥臂互锁闭锁；VCC 与三路 VB 各自独立欠压保护；输入引脚内置 260kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；静态电流典型 450μA；最高支持 500kHz 开关频率；面向三相直流无刷 BLDC 电机驱动器。
版本对比：对标 EG2124A；EG2124A 需要外接自举二极管 ；EG6288芯片内部集成自举二极管，仅需要外接自举电容，简化 BOM；驱动电流更大（1.8A/2.3A），适合更大栅电荷 MOS。
二、五大核心差异化硬件优势
- 220V 三相半桥，内置自举二极管 U/V/W 三相完全独立半桥架构；片内集成自举二极管，外部仅需自举电容，省去外部自举二极管，简化外围；母线最高 220V；单路 VCC 供电 5‑20V。
- VCC + 三路 VB 独立欠压保护 VCC 欠压：开启 4.0V，关断 3.6V；三相 VB 悬浮电源各自独立欠压，任意一路欠压，对应相驱动关断，避免 MOS 驱动电压不足，防止管子不完全导通过热损坏。
- 硬件死区 + 每相桥臂互锁闭锁 每相独立死区 100‑300ns（典型 200ns）；HIN、LIN 同时为高 / 同时为低，HO、LO 全部强制关断，硬件杜绝同一桥臂上下管直通；HIN/LIN 内置 260kΩ 下拉，引脚悬空输出关闭，避免上电 IO 浮空导致 MOS 误开启。
- 大电流图腾柱驱动，最高 500kHz 高频 拉 1.8A / 灌 2.3A，相比 EG2124A 驱动能力更强，适合大 Qg 功率 MOS；开通 / 关断延时典型 340ns /140ns；输入高电平阈值 2.5V，可直接对接 3.3V/5V 的 MCU IO。
- 双封装可选 TSSOP‑20 通用贴片；QFN‑24 小体积，适合高密度电机板。
三、内置功能与重要限制
✅内置功能
- 三相独立半桥电平位移，内置自举二极管，外部只接自举电容；
- VCC + 三路 VB 独立欠压锁存保护；
- 每相独立硬件死区 DT：100~300ns，典型 200ns；
- 每相桥臂互锁闭锁，HIN、LIN 同高 / 同低，HO、LO 强制全部关闭；
- HIN/LIN 输入内置 260kΩ 下拉，输入悬空输出关闭；
- 输入脉冲滤波，抑制尖峰干扰。
⚠️重要限制
- 仅栅极驱动，无内置 MOS，必须外接 6 颗 N‑MOS/IGBT；
- 互锁仅作用于单桥臂，三相之间时序仍然需要 MCU 软件保证；
- 无芯片级过温、无硬件过流保护；MOS 过流、过温需要外部采样 + MCU 实现；
- 无 nFAULT 故障上报引脚，故障直接关断对应相输出。
四、引脚功能定义（TSSOP‑20）
表格
| 引脚号 | 引脚名 | I/O | 功能简述 |
|---|---|---|---|
| 1 | HIN1 | I | U 相上管逻辑输入，高有效；内置 260kΩ 下拉 |
| 2 | HIN2 | I | V 相上管逻辑输入，高有效；内置 260kΩ 下拉 |
| 3 | HIN3 | I | W 相上管逻辑输入，高有效；内置 260kΩ 下拉 |
| 4 | LIN1 | I | U 相下管逻辑输入，高有效；内置 260kΩ 下拉 |
| 5 | LIN2 | I | V 相下管逻辑输入，高有效；内置 260kΩ 下拉 |
| 6 | LIN3 | I | W 相下管逻辑输入，高有效；内置 260kΩ 下拉 |
| 7 | VCC | Power | 芯片供电 5‑20V，典型 15V；就近接 0.1μF 旁路电容 |
| 8 | GND | GND | 芯片信号地，和 MCU 共地 |
| 9 | LO3 | O | W 相下管栅极驱动输出 |
| 10 | LO2 | O | V 相下管栅极驱动输出 |
| 11 | LO1 | O | U 相下管栅极驱动输出 |
| 12 | VS3 | O | W 相高端悬浮参考点（桥臂中点） |
| 13 | HO3 | O | W 相上管栅极驱动输出 |
| 14 | VB3 | Power | W 相高端悬浮电源，只接自举电容 |
| 15 | VS2 | O | V 相高端悬浮参考点（桥臂中点） |
| 16 | HO2 | O | V 相上管栅极驱动输出 |
| 17 | VB2 | Power | V 相高端悬浮电源，只接自举电容 |
| 18 | VS1 | O | U 相高端悬浮参考点（桥臂中点） |
| 19 | HO1 | O | U 相上管栅极驱动输出 |
| 20 | VB1 | Power | U 相高端悬浮电源，只接自举电容 |
单桥臂逻辑真值表（U/V/W 任意一相） | HINx | LINx | HOx | LOx | 状态 | |---|---|---|---|---| | 0 | 0 | 0 | 0 | 上下管全部关断 | | 0 | 1 | 0 | 1 | 仅下管导通 | | 1 | 0 | 1 | 0 | 仅上管导通 | | 1 | 1 | 0 | 0 | 互锁保护全部关断，防止桥臂直通 |
五、外围元器件标准化选型规范
- VCC 电源：VCC‑GND 放置 0.1μF 陶瓷旁路电容，紧靠引脚。
- 三相自举回路 ：VB1‑VS1、VB2‑VS2、VB3‑VS3 每一路只接自举电容，芯片内部自带自举二极管，不需要外接二极管；电容按 MOS 栅电荷 Qg、工作频率选型。
- 栅极电阻 Rg：HO1‑HO3、LO1‑LO3 输出串联栅极电阻，靠近 MOS 栅极，抑制栅极振荡。
- 功率器件：外接 6 颗 N 沟道 MOS/IGBT 组成三相桥，母线最高 220V。
- MCU 逻辑输入：HIN1‑3、LIN1‑3 直连 MCU IO，输入高电平≥2.5V。
六、PCB 布线硬性规范
- VCC 的 0.1μF 去耦电容紧贴 VCC‑GND 引脚。
- 三路自举电容分别紧靠对应 VB、VS 引脚，缩短悬浮回路，减小寄生电感。
- HO、LO 栅极驱动走线尽量短；栅极电阻靠近 MOS 管栅极，减小栅极环路，抑制高频振铃。
- VS1/VS2/VS3 高压桥臂中点走线远离 HIN/LIN 逻辑信号线，避免高压噪声耦合误触发逻辑。
- 三相功率大电流回路与芯片小信号逻辑回路分开布局；信号 GND 与功率 GND 单点汇合，降低地弹噪声。
- QFN‑24 封装底部焊盘接 GND，增加散热过孔，提升散热。
七、主流应用场景
220V 以内三相直流无刷 BLDC 电机驱动器；电动工具、变频水泵、风机、工业三相电机控制器。