一、Flash 的最小存储单元：浮栅晶体管
Flash 每一个 bit 都对应一个浮栅 MOS 晶体管（Floating Gate Transistor），核心结构是在控制极和沟道之间，加了一层被二氧化硅绝缘层完全包裹的「浮栅」。
- 浮栅被绝缘层包裹，电子进去后很难跑出来，因此掉电后电荷也能长期保存，这就是 Flash 非易失性的来源。
- 数据的 0 和 1，由浮栅中存储的电子数量 决定：
- 浮栅里电子少 → 管子导通阈值低 → 加读取电压时管子导通 → 读出为 1
- 浮栅里电子多 → 管子导通阈值高 → 加读取电压时管子不导通 → 读出为 0
二、两个基本操作的物理过程
1. 擦除操作：把所有位变成 1
擦除的本质是把浮栅里的电子全部移出去。
- 实现方式：在衬底加高压，通过量子隧穿效应，让浮栅里的电子穿过绝缘层，回到衬底。
- 结果：浮栅电子变少，所有单元都回到 "导通" 状态，也就是全 1。
- 关键限制：这个高压电场是按整块（扇区 / 页 / 块）施加的，无法精准作用到单个字节或单个位上，否则会干扰相邻单元。因此擦除只能按扇区 / 块进行，不能单字节擦除。
2. 编程（写入）操作：把 1 改成 0
写入的本质是往浮栅里注入电子。
- 实现方式：在控制极加高压，让沟道里的热电子穿过绝缘层，注入到浮栅中并被困住。
- 结果：浮栅电子变多，对应单元变成 "不导通" 状态，也就是 0。
- 特点：可以通过地址译码，单独选中某个字节 / 半字 / 字进行注入，只改变目标位，不影响其他位。
三、为什么不能直接把 0 改回 1？
要把 0 变回 1，就必须把浮栅里已经注入的电子移走。但：
- 移走电子需要反向高压电场，也就是「擦除」这个动作本身；
- 现有 Flash 的电路设计中，擦除的高压只能覆盖整个擦除块，无法精确到单个位 / 字节 ------ 如果强行给单个位加反向高压，会把周围相邻的存储单元也一起擦除，造成数据损坏。
简单说：
写入只能 "加电子"（1→0），不能 "减电子"（0→1）；想减电子只能整块擦除。
四、通俗类比
你可以把 Flash 想象成一块刷了白漆的黑板：
- 擦除 = 把整块黑板重新刷白（全 1），只能整块刷，不能只刷一个字；
- 写入 = 用黑笔在白黑板上写字（把对应位置写成 0），可以一个字一个字写；
- 你没法用黑笔把 "黑点" 变回 "白色"，想改只能把整块黑板重新刷白再重写。