12.2 Norflash GD25Q128工作原理
引脚定义
片选引脚推荐4.7K上拉;此外，如果用不上写保护和数据保持功能的话，WP和HOLD可以直接连接3V3失能。写保护也可以在建立通信后，通过命令字来实现。
使用四线制的QPSI虽然会让WP和HOLD引脚失效，并且切换为半双工通信，但是数据吞吐量受益于并行传输翻了四倍。
存储颗粒度（重要）
接下来介绍的所有换算关系都是针对XX25Q128这类Nor Flash而言的 ， 在计算机技术发展的历程中早期大规模的使用了机械硬盘，操作系统为了屏蔽底层的硬件差异抽象出了很多逻辑概念。比如最经典的买了一个U盘标着64GB，插上电脑一看只有59GB不到了，这些原因我们今天不做过多展开了。我们不讨论机械硬盘，也不讨论NAND FLASH\SD CARD，只谈论NOR FLASH用SPI读写的情况，后续的课程中再讨论挂载上文件管理系统后的读写擦颗粒度。
因此，我们锚定：
1KB=1024 Bytes,1MB=1024 KB=1,048,576 Bytes。
从这张图里我们可以计算出Nor Flash内部物理层（仅使用SPI读写） 存储单元的完整换算关系，也就是块->扇区->页 （从大到小排列）。首先交代一片GD25Q128总共包含128M bit存储空间，等于16M Bytes总量，地址空间为 000000h ~ FFFFFFh（24 位地址线，共 2²⁴ = 16,777,216 字节 = 16MB）。在这个总量的基础上，划分出0~255总计256个块（block）,每个块可占用64 KB字节(16 * 1024 /256）；每个块里面包含了16个扇区，每个扇区可存储4KB字节；每个扇区里面包含16个页，每个页可以存储256字节。
1CHIP=256BLOCK=4096SECTOR=65536PAGE;无论你用XX25Q32\XX25Q64\XX25Q128，256bytes=1page，16page=1sector，16sector=1block都是一样的，只是Q128有256个block、Q64有128个block，Q32只有64个block。
这里再做一个补充说明，手册上面的正式物理层存储只有BLOCK和SECTOR区分，PAGE严格来讲已经是软件层抽象概念了。前文已经提及了Nor Flash的每一个字节都由专属的访问地址(范围000000h ~ FFFFFFh)，如果我们想要访问1个特定字节，那么SPI主机就需要发送3个字节的寻址命令码，2个字节约束页地址（页号），还有1个字节找出它是这一页的具体哪一个字节（页内偏移）。因为1page=256bytes=2^8bytes,1个bytes的8个bit可以表征256个bytes哪一个有效了。同理，1chip=65536page=2^16,2个bytes的16bit就可以表征16个page里面要去找哪一个了。
可以总结为：
TypeScript
[ A23 ... A16 ] [ A15 ... A8 ] [ A7 ... A0 ]
地址字节1 地址字节2 地址字节3
高16位(A23~A8)：页号 Page Number
低8位 (A7 ~A0)：页内偏移 Offset举例SPI MASTER发送了0x 11 11 1F三个字节，那么页号是0x1111,主机要访问第4369个page；页内偏移是0x1F，访问的第31个字节。
注意虽然NOR FLASH的裸机读写颗粒度是非常小的，均为1字节；但是NOR FLASH必须先擦后写，每次擦拭的最小单元是1sector（4KB，实际物理最小单元）；每次写入的上线也是1page，这受制于下图的256bytes Page Buffer，第257个字节不会写入下一页，而是直接覆盖掉本页第一个byte。
命令字
下面来讨论一下命令字：
重点关注以下这几个：
①Write Enable默认情况下nor flash是处于写保护状态的，需要先发送0x06打开写保护；
②Read Status Register-1 获取当前读写状态是否正常；
③Page Program发送写命令，3个字节的地址和后续写入的数据；
④**Sector Erase (4KB)**按扇区擦除数据；
⑤**Block Erase （32KB/64KB）**按块擦除数据；
⑥JEDEC ID获取芯片ID；
