如何通过GD32 MCU内部ADC参考电压通道提高采样精度?

ADC采样精度受很多因素影响,比如电源波动、参考电压波动、输入信号波动等,GD32 MCU内部提供了一个参考电压通道,理论上可以优化由于电源和参考电压较大波动引入的采样误差。

如下图所示,GD32F303 ADC内部17通道为VREFINT参考电压通道,内部参考电压的典型数值为1.2V。

当外部参考电压波动较大的情况下,如何通过内部参考电压通道提高ADC采样精度呢?

比如我们采样ADC_IN0通道的电压VIN0,那么采样的数值为:

其中,Rin0为通道0的采样数值,VIN0为通道0的输入电压,VREF为参考电压。

采样完通道0后,我们可以立即采样VREFINT内部参考电压,那么内部采样电压采样的数值为:

将公式1/公式2将得到:

进而得到以下公式:

由以上公式可得到通道0的电压值可通过内部参考电压以及内部参考电压的采样值来计算,可不受外部参考电压的变化而影响,进而提高了在外部参考电压波动较大的情况下采样误差的精度。

PS:建议可在外部参考电压较大的情况下使用该方法,如果外部参考电压比较准的话,还是可以直接采样的。

如有其他问题或建议,欢迎评论区讨论。

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