4Gbit密度+16位总线宽度:H5AN4G6NBJR-UHC在DDR4成熟期的产品定位

H5AN4G6NBJR-UHC:4Gbit DDR4内存颗粒的容量、架构与应用解析

在服务器、个人电脑以及工业嵌入式系统等领域,内存的带宽与容量直接影响着系统的整体运算效率。DDR4 SDRAM作为当前仍广泛使用的主流内存标准,以其成熟的工艺、较低的延迟和良好的能效表现,成为众多计算平台的基础组件。

H5AN4G6NBJR-UHC是SK海力士推出的一款4Gbit DDR4 SDRAM内存颗粒,采用256M x 16的组织结构,专为需要适中容量、高带宽和低功耗平衡的通用计算与嵌入式应用而设计。

核心规格参数

参数 规格
制造商 SK海力士(SK hynix)
内存类型 DDR4 SDRAM
存储密度 4 Gbit(约512 MB)
组织结构 256M × 16(256M地址单元,16位数据输出)
封装类型 FBGA-96(细间距球栅阵列,96-ball)
封装尺寸 约 13.0mm × 7.5mm
引脚间距 0.8 mm
数据速率范围 1600 MHz ~ 3200 MHz(多种速率等级可选)
时序/延迟 支持多种CAS延迟配置(CL 9至20)
工作电压 1.2 V(VDD / VDDQ)
电压范围 1.14V ~ 1.26V
工作温度 0°C ~ 85°C(商业级),部分规格支持至95°C
刷新周期 7.8μs(0°C~85°C)/ 3.9μs(85°C~95°C)
标准符合性 JEDEC DDR4 标准、RoHS 合规

技术特性详解

4Gbit适中容量与组织

该颗粒提供4Gbit的存储密度,组织方式为256M x 16。x16的数据总线宽度意味着单颗颗粒即可提供16位的并行数据通道。这一特性使其非常适合需要紧凑设计的应用场景,例如仅需少量颗粒即可构成完整内存通道的工业主板、迷你电脑或笔记本电脑的板载内存方案。

DDR4-3200高速率支持

该颗粒支持最高3200Mbps的数据传输速率,属于DDR4-3200规格。这一带宽能够有效满足多核处理器对数据吞吐量的需求,适用于办公计算、多媒体处理及入门级服务器的应用场景。

1.2V低电压与节能设计

1.2V的标准工作电压是DDR4世代的重要特性之一。相较于DDR3的1.5V,该电压降低了约20%的功耗,有助于减少系统发热并提升能源效率。芯片还支持多种低功耗模式,包括自动刷新和自刷新模式,能够显著降低待机状态下的能耗。

精细化的刷新管理

该颗粒支持温度相关的刷新周期控制:在0°C至85°C范围内,刷新周期为7.8μs;在85°C至95°C范围内,刷新周期缩短至3.9μs以维持数据完整性。这种精细化设计有助于在高温环境下保持稳定性。

标准FBGA封装

96-ball FBGA封装是该容量DDR4颗粒的行业标准形式,封装尺寸为13mm × 7.5mm。这种封装支持自动化SMT贴装,与主流PCB设计具有良好的兼容性。

应用领域

凭借其4Gbit的适中容量、最高3200Mbps的数据速率和1.2V的低功耗特性,该芯片适用于以下领域:

应用领域 具体场景
个人计算设备 入门级和主流台式机、笔记本电脑的内存模组构建,一体机的板载内存设计
服务器与数据中心 入门级服务器、数据中心存储阵列的边缘节点
嵌入式与工业系统 工业控制、网络通信设备(路由器、交换机)、医疗设备中的主内存
消费电子 高端智能电视、数字机顶盒、游戏机等需要一定内存带宽的设备

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Email: carrot@aunytorchips.com

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