单片机嵌入式系统试题(第28期)flash芯片各引脚作用?低功耗设计估算电池续航时间是多少?如何优化低功耗等项目经验

单片机嵌入式系统试题(第28期)

考察范围: C语言软件、硬件、项目经验综合

题目:

在一个电池供电的智能温湿度传感器项目中,你选用了内置12位ADC的MCU(如STM32L系列)。系统每隔5分钟唤醒一次,采集一次温湿度数据(通过I2C接口的传感器,如SHT30),并将数据存入外部SPI Flash(如W25Q16)中。当数据存满1000条后,需要通过LORA模块一次性上传到云端。请回答以下问题:

1. 硬件设计:

在设计SPI Flash电路时,除了电源、地、SPI引脚(SCK, MOSI, MISO)外,为什么通常还需要连接一个GPIO引脚到Flash的/CS(片选)和/HOLD或/WP引脚?请分别说明这两个引脚在电路中作用,以及若设计时直接将其接高电平或低电平可能导致的问题。

2. C语言软件:

在编写SPI Flash的驱动时,需要实现一个函数void flash_write_page(uint32_t addr, uint8_t *data, uint16_t len),用于向指定地址写入一页数据(页大小为256字节)。以下是部分代码框架,请指出其中存在的三个潜在错误或可优化点,并说明原因:

c 复制代码
 void flash_write_page(uint32_t addr, uint8_t *data, uint16_t len) {
        uint16_t i;
        flash_cs_low();  // 拉低片选
        spi_send_byte(0x02);  // 发送写命令
        spi_send_byte((addr >> 16) & 0xFF);
        spi_send_byte((addr >> 8) & 0xFF);
        spi_send_byte(addr & 0xFF);
        for(i = 0; i < len; i++) {
            spi_send_byte(data[i]);
        }
        flash_cs_high();  // 拉高片选
    }

3. 项目经验:

系统要求极低功耗。已知MCU在休眠时功耗为2μA,工作时为3mA(包括传感器采集和存储操作),每次唤醒工作时间为100ms。LORA模块上传数据时峰值电流为120mA,每次上传时间为2秒。假设电池容量为1200mAh,请估算电池的理论续航时间(按100%效率计算,忽略电池自放电)。并指出在软件层面可采取的两种进一步降低功耗的措施。

答案与解析:

1. 硬件设计:
◦ /CS(片选)引脚: 用于使能或禁用SPI Flash芯片。若直接接固定电平(如高电平),则Flash将始终处于禁用或选中状态,可能导致:① 无法控制多设备SPI总线,造成数据冲突;② 当Flash未选中时,其数据输出为高阻态,可减少功耗;固定电平会使功耗增加。

◦ /HOLD或/WP引脚
◦ /HOLD :暂停SPI通信而不取消片选,用于MCU响应更高优先级中断。若直接接地,则无法使用暂停功能;若接高电平,则功能正常但失去硬件保护。
◦ /WP :写保护引脚,低电平时禁止写入。若直接接高电平,则失去硬件防误写保护;若接地,则Flash可能无法写入。
建议设计: 应将这两个引脚连接到MCU的GPIO,通过软件灵活控制。

2. C语言软件:

代码中的问题:

◦ 错误1:缺少写使能命令。 在写操作前,必须先发送0x06(写使能)命令,否则写操作会被Flash忽略。

◦ 错误2:未等待写操作完成。 发送数据后,Flash需要时间完成内部编程(典型值3~5ms)。应在拉高片选后,轮询状态寄存器或延迟等待,否则下次操作可能失败。

◦ 可优化点:未检查页边界。 Flash写操作不能跨页(256字节)。若len超过页剩余空间,会导致数据写入错误地址。应加入地址和长度检查。

修正示例(部分):

c 复制代码
 void flash_write_page(uint32_t addr, uint8_t *data, uint16_t len) {
        // 检查页边界
        if ((addr % 256) + len > 256) return; // 或分段写入
        flash_write_enable();  // 发送0x06命令
        // ... 发送地址和数据
        flash_cs_high();
        while(flash_is_busy()); // 等待写完成
    }

3. 项目经验:
◦ 功耗估算
每天唤醒次数 :24h × 60min / 5min = 288次。
MCU工作能耗: 288次 × (0.1s × 3mA) = 86.4 mAs/天 = 0.024 mAh/天。
MCU休眠能耗 : (24×3600s - 28.8s) × 2μA ≈ 172.8 mAs/天 = 0.048 mAh/天。
LORA能耗: 每1000条数据上传一次,每天上传288/1000≈0.288次(实际每3.47天一次)。每次能耗:2s × 120mA = 240 mAs = 0.067 mAh。日均:0.067/3.47 ≈ 0.019 mAh。
总日均能耗: 0.024 + 0.048 + 0.019 = 0.091 mAh。
理论续航: 1200mAh / 0.091 mAh/天 ≈ 13187天(约36年)。

注:实际续航远低于此,因未考虑传感器、Flash、电路漏电、LORA唤醒、电池效率等因素。
◦ 进一步省电措施:

① 采集后立即休眠: 将采集、存储、上传任务分段快速完成,减少MCU活跃时间。

② 降低采集频率: 根据温度变化率动态调整唤醒间隔(如夜间延长至10分钟)。

③ Flash断电: 在非写读时段,通过MOS管切断Flash电源(功耗可降至nA级)。

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